Name: Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4622DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (539 reviews)

Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4622DY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Datenblätte:

1.SI4622DY-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf SI4622DY.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4622DY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 9.6A, 10V
Leistung - max	3.3W, 3.1W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2458pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI4622
SI4622DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4622DY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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